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    铟镓砷 InGaAs 超大光敏面光电二极管(10mm ) 900-1700nm 近红外波长  

    筱晓光子库存备有各种有效面积和封装的PIN结二极管(PD),包括铟镓砷(InGaAs)、磷化镓(GaP)、硅(Si)和锗(Ge)光电二极管。我们有高速硅光电二极管。也有在900到2600 nm的范围内具有高响应率,其探测波长超过……

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    产品型号
    型号 货号 操作 名称
    IRD-IGS-10  E80042060  现货    铟镓砷 InGaAs 超大光敏面PIN光电二极管(900-1800nm,直径10mm)   [PDF] 光谱响应范围 900-1700nm;光敏面直径 10mm;响应度@1550nm 0.95 A/W; 光敏材料 InGaAs;5 Pin脚    价格 : 请联系客服 库存:请咨询客服

    总览

    筱晓光子库存备有各种有效面积和封装的PIN结二极管(PD),包括铟镓砷(InGaAs)、磷化镓(GaP)、硅(Si)和锗(Ge)光电二极管。

    我们有高速硅光电二极管。也有在900到2600 nm的范围内具有高响应率,其探测波长超过典型铟镓砷光电二极管的1800 nm。双波段光电二极管,它集成了上下紧贴在一起的两个光电探测器(硅基底在上,铟镓砷基底在下),组合波长范围从400到1700 nm。

    为了丰富我们的光电二极管产品线,我们提供已安装的光电二极管便于客户供电即用,探测器有效面积边缘的不均匀性可能引起不必要的电容电阻效应,从而扭曲光电二极管的时域响应。因此,我们建议使光入射在有效面积中心。为此,可以在探测器前放置聚焦透镜或者针孔。


    产品特点

    ● 10mm超大光敏面

    ● 900nm to 1700nm 光谱响应

    ● 高线性 > 10 dBm

    ● —正照平面型芯片结构 

    ● 光敏面积大、低暗电流


    产品应用

    ● 激光功率计

    ● LED/LD老化诊断

    ● 光谱学

    ● LED/LD特性

    ● 眼睛安全激光检测传感器

    通用参数

    技术参数

    特性参数

    符号

    测试条件

    最小

    典型

    最大

    单位

    光谱响应范围

    λ

    900~1700

    nm

    光敏面直径

    φ

    10

    mm

    响应度

     

    Re

    VR=5V,λ=1.31μm,φe=100μw

    0.85

    A/W

    VR=5V,λ=1.55μm,φe=100μw

    0.95

    响应时间

    tS

    VR=5V,RL=50Ω,f=2KHz

    8

    20

    μs

    总电容

    C

    VR=5V,f=1KHz

    3

    10

    nF

    暗电流

    ID

    VR=5V,φe=0

    25

    100

    nA

    分流阻抗

    Rsh

    VR=10mV

    10


    光谱响应曲线

    tu1.png

    封装及尺寸

    tu2.png

    极限值

    参数名称

    符号

    额定值

    单位

    工作温度

    TC

    -40~+85

    贮存温度

    TSTG

    -55~+125

    正向电流

    IF

    10

    mA

    反向电流

    IR

    5

    mA

    焊接温度(时间)

    St

    260℃(10s)

    -











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