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    硅 Si 雪崩光电二极管 400-1100nm  

    Si 硅雪崩光电二极管,光谱响应范围从可见光到近红外,峰值响应波长905nm。大光敏面,高速响应,高增益,低噪声。

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    产品型号
    型号 货号 操作 名称
    APD-SI-905-0.5-LCC3  E80040255  8-10周    硅 Si 雪崩光电二极管 905nm (400-1100nm光敏面直径0.5mm LCC3)   [PDF] 光谱响应范围:400-1100nm 峰值响应波长:905nm 光敏面直径:0.5mm 封装:LCC3  
    APD-SI-905-0.23-LCC3  E80040254  8-10周    硅 Si 雪崩光电二极管 905nm (400-1100nm 光敏面直径0.23mm LCC3)   [PDF] 光谱响应范围:400-1100nm 峰值响应波长:905nm 光敏面直径:0.23mm 封装:LCC3  
    APD-SI-905-0.8-TO46  E80040253  8-10周    硅Si雪崩光电二极管 905nm (400-1100nm 光敏面直径0.8mm TO46)   [PDF] 光谱响应范围:400-1100nm 峰值响应波长:905nm 光敏面直径:0.8mm 封装:TO46  
    APD-SI-905-0.5-TO46  E80040252  8-10周    硅 Si 雪崩光电二极管 905nm (400-1100nm 光敏面直径0.5mm TO46)   [PDF] 光谱响应范围:400-1100nm 峰值响应波长:905nm 光敏面直径:0.5mm 封装:TO46  
    APD-SI-905-0.23-TO46  E80040109  8-10周    905nm 硅雪崩光电二极管 400-1100nm (光敏面直径:0.23mm TO46)   [PDF] 光谱响应范围:400-1100nm 峰值响应波长:905nm 光敏面直径:0.23mm 封装:TO46  

    总览

    Si 硅雪崩光电二极管,光谱响应范围从可见光到近红外,峰值响应波长905nm。大光敏面,高速响应,高增益,低噪声。

    通用参数

    产品特点:

    正照平面型芯片结构

    高速响应

    高增益

    低结电容

    低噪声


    产品应用:

    激光测距

    激光雷达

    激光警告

    技术参数:

    光电性能(@Ta=22±3℃)


     

    器件型号

    光谱响应范

    (nm)

    峰值响

    应波长

    (nm)

    响应度

    λ =905nm

    φ e =1μW

    M=100

    (A/W)

    暗电流

    M=100

    (nA)

    响应时间

    λ =905nm

    R L =50Ω

    (ns)

    工作电压

    温度系数

    T a =-40℃

    ~85℃

    (V/℃)

    总电容

    M=100

    f=1MHz

    (pF)

    击穿电压

    I R =10μA

    (V)

    典型

    最大

    最小

    最大

    APD-SI-905-2-TO46

    400~1100

    905

    55

    0.2

    1

    0.6

    0.9

    1.0

    130

    220

    APD-SI-905-5-TO46

    0.4

    1

    1.2

    APD-SI-905-8-TO46

    0.8

    2

    2.0

    APD-SI-905-2-LCC3

    0.2

    1

    1.0

    APD-SI-905-5-LCC3

    0.4

    1

    1.2

     

     

    结构/最大绝对额定值

    器件型号

    封装形式

    光敏面直径

    (mm)

    工作电压

    (V)

    工作温度

    (℃)

    储存温度

    (℃)

    焊接温度

    (℃)

    正向电流

    (mA)

    耗散功率

    (mW)

    APD-SI-905-2-TO46

    TO-46

    0.23

    0.9×V BR

    -40~85

    -45~100

    260

    0.25

    100

    APD-SI-905-5-TO46

    TO-46

    0.50

    APD-SI-905-8-TO46

    TO-46

    0.80

    APD-SI-905-2-LCC3

    LCC3

    0.23

    APD-SI-905-5-LCC3

    LCC3

    0.50

     

     

    产品型号

     

    名称

    型号

    描述

    价格

    货期

    硅雪崩光电二极管

     

    APD-SI-905-2-TO46

    光谱响应范围:400-1100nm

    峰值响应波长:905nm

    光敏面直径:0.23mm

    封装:TO46



    硅雪崩光电二极管

     

    APD-SI-905-5-TO46

    光谱响应范围:400-1100nm

    峰值响应波长:905nm

    光敏面直径:0.50mm

    封装:TO46



    硅雪崩光电二极管

     

    APD-SI-905-8-TO46

    光谱响应范围:400-1100nm

    峰值响应波长:905nm

    光敏面直径:0.80mm

    封装:TO46



    硅雪崩光电二极管

     

    APD-SI-905-2-LCC3

    光谱响应范围:400-1100nm

    峰值响应波长:905nm

    光敏面直径:0.23mm

    封装:LCC3



    硅雪崩光电二极管

     

    APD-SI-905-5-LCC3

    光谱响应范围:400-1100nm

    峰值响应波长:905nm

    光敏面直径:0.50mm

    封装:LCC3



     

     

    典型特性曲线


    302.png


    303.png



    304.png


    305.png


    封装外形、尺寸及引脚定义

    APD-SI-2-2/5/8-TO46(三脚和两脚封装)


    306.png


    APD-SI-2-2/5-LCC3


    307.png


    308.png


    等效电路及应用电路



    309.png






    310.png






    注:C 1 -滤波电容,滤除偏置工作电压 V R 的噪声。

    C 2 -旁路电容,为交流信号提供对地回路。

    R 1 -限流电阻,防止偏置工作电压 V R 过高时,损坏探测器。

    R i -取样电阻,将光电流转化为电压信号。

    定购信息:


    型号规则


    【APD-SI-响应波长-光敏面直径-封装形式】


























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