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    850nm偏振鎖定單模VCSEL芯片激光器  

    我們的單模VCSEL旨在滿足廣泛的光學傳感應用的嚴格規范。該產品提供偏振穩定的單模發射,具有對稱的高斯光束輪廓,輸出功率通常為1mW。偏置電流范圍為3至6mA。

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    縱向   橫向
    產品型號
    型號 貨號 操作 名稱
    APA8501010001  I80010001  8-10周    850nm偏振鎖定單模VCSEL芯片激光器   [PDF] 中心波長:850nm; 輸出功率:0.9mw 邊模抑制比:10dB     價格 : 請聯系客服 庫存:請咨詢客服

    總覽

    我們的單模VCSEL旨在滿足廣泛的光學傳感應用的嚴格規范。該產品提供偏振穩定的單模發射,具有對稱的高斯光束輪廓,輸出功率通常為1mW。偏置電流范圍為3至6mA。


    通用參數

    產品特點:

    單橫模和單縱模

    偏振穩定發射

    低功耗

    高可靠性

    高斯光束分布

    背面陰極和頂部陽極配置

    通過RoHS認證

     

    產品應用:

    激光鼠標

    光學傳感器應用

    光電編碼器

     

    光電特性:

    操作條件: Top= 5°- 45℃; Iop=const., set at 25℃  so that Pop=0.55mW

     

    參數

    符號

    最小

    典型

    最大

    單位

    備注

    閾值電流

    ITH

    1

    3

    5

    mA

    T = 25°C

    斜率效率

    η

    0.20

    0.40

    0.65

    mW/mA

    T = 25°C, I = Ith+1mA

    工作電流

    IOP

    2.3


    6

    mA

    T = 25°C, Pop=0.55mW

    工作電壓

    UOP



    2.3

    V

    工作條件

    微分電阻

    Rd

    20


    90

    ?

    T = 25°C,   Pop=0.55mW

    SM光輸出功率

    PSM

    0.9



    mW

    T = 25°C

    邊模抑制比

    SMSR

    10



    dB

    T = 25°C, Pop=0.9mW

    偏振方向的精度

    δpo

    -15


    +15

    deg

    T = 25°C, Pop=0.2...0.9mW

    發射波長

    λpeak

    840

    850

    860

    nm

    工作條件

    光束發散性

    θFW1/e2

    13

    17

    21

    deg

    T = 25°C, Pop=0.5mW

    光功率隨溫度的變化

    P(T) – Pop

    -200


    +120

    μW

    Iop, T=5...45°C

    SM=單個模式;FW1/e2=全寬1/e2

     

    絕對最大額定參數

    參數

    最大值

    單位

    備注

    連續工作電流

    8

    mA

    3

    連續反向電壓

    8

    V


    PCB焊料或回流溫度

    260

    °C

    最多10秒

     

    封裝尺寸:芯片尺寸

    參數

    最小

    典型

    最大

    備注

    芯片寬度

    135

    155

    175

    μm

    芯片長度

    135

    155

    175

    μm

    芯片厚度

    135

    150

    165

    μm

     











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